关于导带、价带的问题:P型半导体价带上面电子浓度和空穴浓度那一个大?我只知道本征半导体导带上面的电子浓度是很小的,也就是说价带上的空穴浓度是很小的.可是如果P参杂了以后,空穴

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/11 05:56:35
关于导带、价带的问题:P型半导体价带上面电子浓度和空穴浓度那一个大?我只知道本征半导体导带上面的电子浓度是很小的,也就是说价带上的空穴浓度是很小的.可是如果P参杂了以后,空穴

关于导带、价带的问题:P型半导体价带上面电子浓度和空穴浓度那一个大?我只知道本征半导体导带上面的电子浓度是很小的,也就是说价带上的空穴浓度是很小的.可是如果P参杂了以后,空穴
关于导带、价带的问题:P型半导体价带上面电子浓度和空穴浓度那一个大?
我只知道本征半导体导带上面的电子浓度是很小的,也就是说价带上的空穴浓度是很小的.可是如果P参杂了以后,空穴浓度远大于原来的电子空穴浓度,那么这时价带上面的电子浓度是不是比空穴浓度要小?可是费米能级是在价带和禁带之间的,也即是说在价带上面的电子占据几率是大于1/2的,那么电子浓度应该要比空穴大咯?究竟怎么理解?请大神指导,我刚开始学PN结,不是很明白

关于导带、价带的问题:P型半导体价带上面电子浓度和空穴浓度那一个大?我只知道本征半导体导带上面的电子浓度是很小的,也就是说价带上的空穴浓度是很小的.可是如果P参杂了以后,空穴
其实我想说,可自由移动的电子远比总的电子浓度少.如硅锗,其原子序数是多少?它们电离的电子顶多就是最外层的四个.更多的电子还是被束缚在原子周围,这些电子都是在价带.即便是杂质掺杂,情况也一样.所以无论如何价带电子都会居多,而且还是很多.至于到了等离子态就不清楚了.我觉得这个没有可比性.然后本征半导体导带电子浓度也可以很高,它是随温度变化而成倍的增长的.差不多应该是这样了吧

刚开始学,不用学的那么深吧~~你学工艺,还是生产呀?将来用不到吧

P掺杂后,费米能级会降低,没有进入价带时,价带上的电子占据几率大于费米能级之上的占据几率。重掺杂时,费米能级会进入价带。

关于导带、价带的问题:P型半导体价带上面电子浓度和空穴浓度那一个大?我只知道本征半导体导带上面的电子浓度是很小的,也就是说价带上的空穴浓度是很小的.可是如果P参杂了以后,空穴 银,铂的导带价带各是多少啊?(金属导带价带重合) 关于固体物理和半导体物理的几个小问题…电子有多个能带,哪些看作导带?哪些看作价带?导带与价带的定义与电子层有关吗?还有,为什么相差a分之2派的电子所处状态相同?…没学懂,表达和理 关于半导体物理中的能级问题.我在某书看到半导体掺杂能级图如下.如果Ec是本征材料(比如Si)的导带能级、Ev是Si的价带能级那如果P掺杂材料为B(通常都掺杂B),B的本征能级应该比Ev低才对?为什 能级图的导带和价带分别是什么? B、Al、P、As中,那些属于N型杂质,那些属于P型杂质.简述能带理论的价带、导带、禁带的定义. 自由电子才能导电.那为什么P型半导体,空穴都在价带中也能导电呢? 价带和导带之间是什么意思 导体、绝缘体、半导体的能级结构有何不同也就是它们的导带、价带和禁带的差别在哪里? 11.用于实际器件中的半导体材料,需要价带和导带间的间隙较大而价带/导带和杂质能级间隙较小的,为什么? “导带”,“禁带”,“价带”分别指什么? 金属有没有导带价带禁带?金属有没有导带,价带一说?如果有,禁带宽度一般多少?为什么肖特基势垒是从金属这边的费米能级到半导体的导带底的能量差?如果没有,用什么来表征金属中电子的能 材料的氧化还原电势代表什么,跟价带和导带的电势一致吗? 如何推导本征半导体中价带中空穴浓度的公式:p = Nv*exp[-(E(F) – Ev)/kT] 直接带隙半导体中,电子吸收光子从价带顶激发到导带底,众所周知,满足动量守恒和能量守恒.对于动量守恒,我的问题详细点说就是:电子激发前后的波数k保持不变,也就是说电子激发前后的动 LED 中 什么是“直接带隙材料”“间接带隙材料”那导带 和价带又是什么? 费米能级指被电子占据几率为1/2的能级,其处于价带和导带之间.可中间不是禁带吗,怎么会有电子占据啊?前提条件:在半导体物理中,处于本征或低掺杂情况.费米能级到底怎么理解啊,感觉逻辑 N型参杂如何改变能级结构(导带底和价带顶提高还是降低),P型参杂呢?