作业帮pnp三极管三个电极之间的电流和电压关系是怎么样的?ie,ic,ib之间有什么关系?
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/03 03:31:48
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三极管的工作原理及基础知识
1 三极管的结构和分类
其共同特征就是具有三个电极,这就是“三极管”简称的来历.通俗来讲,三极管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构,根据分层次序分为NPN型和PNP型两大类.
上述三层结构即为三极管的三个区,中间比较薄的一层为基区,另外两层同为N型或P型,其中尺寸相对较小、多数载流子浓度相对较高的一层为发射区,另一层则为集电区.三极管的这种内部结构特点,是三极管能够起放大作用的内部条件.
三个区各自引出三个电极,分别为基极（b） 、发射极（e）和集电极（c）.
如图b所示,三层结构可以形成两个PN结,分别称为发射结和集电结.三极管符号中的箭头方向就是表示发射结的方向.
三极管内部结构中有两个具有单向导电性的PN结,因此当然可以用作开关元件,但同时三极管还是一个放大元件,正是它的出现促使了电子技术的飞跃发展.
2 三极管的电流放大作用
直流电压源Vcc应大于Vbb,从而使电路满足放大的外部条件：发射结正向偏置,集电极反向偏置.改变可调电阻Rb,基极电流IB,集电极电流Ic 和发射极电流IE都会发生变化,由测量结果可以得出以下结论：
（1） IE ＝ IB ＋ IC ( 符合克希荷夫电流定理）
（2） IC ≈ IB （ 称为电流放大系数,可表征三极管的电流放大能力）
（3）△ IC ≈ △ IB
由上可见,三极管是一种具有电流放大作用的模拟器件.
3 三极管的放大原理
以下用NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大
原理,
1、发射区向基区扩散电子：由于发射结处于正向偏置,发射区的多数载流子（自由电子）不断扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流IE.
2、电子在基区扩散和复合：由于基区很薄,其多数载流子（空穴）浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合,形成比较小的基极电流IB,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘.
3、集电区收集从发射区扩散过来的电子：由于集电结反向偏置,可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区,从而形成较大的集电极电流IC.
4 三极管的输入输出特性
三极管的输入特性是指当集-射极电压UCE为常数时,基极电流IB与基-射极电压UBE之间的关系曲线.
对硅管而言,当UCE超过1V时,集电结已经达到足够反偏,可以把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区.如果此时再增大UCE ,只要UBE保持不变（从发射区发射到基区的电子数就一定）,IB也就基本不变.就是说,当UCE超过1V后的输入特性曲线基本上是重合的.
由图可见,和二极管的伏安特性一样,三极管的输入特性也有一段死区,只有当UBE大于死区电压时,三极管才会出现基极电流IB.通常硅管的死区电压约为0.5V,锗管约为0.1V.在正常工作情况下,NPN型硅管的发射结电压UBE为0.0.7V,PNP型锗管的发射结电压UBE为-0.-0.3V.
三极管的输出特性是指当基极电流IB一定时,集电极电流IC与集-射极电压UCE之间的关系曲线.在不同的IB下,可得出不同的曲线,所以三极管的输出特性是一组曲线.通常把输出特性曲线分为三个工作区：
1、放大区：输出特性曲线的近于水平部分是放大区.在放大区,IC ＝ IB ,由于在不同IB下电流放大系数近似相等,所以放大区也称为线性区.三级管要工作在放大区,发射结必须处于正向偏置,集电结则应处于反向偏置,对硅管而言应使UBE>0,UBC