单晶硅片的少子寿命和多晶硅片的少子寿命?少子寿命的单位用中文读该怎么读?另外一个问题是 为何单晶的大于等于10 而多晶的是大于等于2?

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/09 00:08:22
单晶硅片的少子寿命和多晶硅片的少子寿命?少子寿命的单位用中文读该怎么读?另外一个问题是 为何单晶的大于等于10 而多晶的是大于等于2?

单晶硅片的少子寿命和多晶硅片的少子寿命?少子寿命的单位用中文读该怎么读?另外一个问题是 为何单晶的大于等于10 而多晶的是大于等于2?
单晶硅片的少子寿命和多晶硅片的少子寿命?
少子寿命的单位用中文读该怎么读?另外一个问题是 为何单晶的大于等于10 而多晶的是大于等于2?

单晶硅片的少子寿命和多晶硅片的少子寿命?少子寿命的单位用中文读该怎么读?另外一个问题是 为何单晶的大于等于10 而多晶的是大于等于2?
um(微米)是长度单位,是指少子的扩散长度;少子寿命的单位是us(微秒)
少子扩散长度和少子寿命基本上是等同的,一个是指能“跑多远”,一个是指能“活多久”,表述不同而已
少子寿命是越大越好,就目前的太阳能级硅来说能有5us已经不错了,如果太低(如小于1us)将严重影响电池效率.现在太阳能企业要求越来越高,多晶要求大于2,单晶要求大于10.
处于热平衡状态下的半导体,在一定温度下,载流子的浓度是一定的,称为平衡载流子浓度, 如果对半导体施加外界作用,破坏了热平衡的条件,称为非平衡状态.比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子.非平衡载流子分为非平衡多数载流子和非平衡少数载流子, 对于n型半导体材料,多出来的电子就是非平衡多数载流子,空穴则是非平衡少数载流子.对p型半导体材料则相反, 产生非平衡载流子的外界作用撤除以后,它们要逐渐衰减以致消失,最后载流子浓度恢复到平衡时的值, 非平衡少数载流子的平均生存时间称为非平衡少数载流子的寿命,简称少子寿命.

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